DYNA JOURNAL ENGINEERING

Volume:

38

Issue:

5

Editorial:

EDITORIAL MAYO 1963

A partir de 1948 en que Bardeen y Brattain, de los laboratorios de la Bell Telephony Co., lanzaron al mundo el descubrimiento del transistor, el estudio de las propiedades de los semiconductores se ha desarrollado de manera considerable. Es innegable, y la experiencia lo atestigua, que cualquier tipo de investigación que se pretenda llevar a cabo sobre un determinado problema concerniente a un semiconductor llevará consigo hacer uso —si no de todas— sí de algunas de las magnitudes que citaremos a continuación:
—el número de impurezas por centímetro cúbico de la muestra;
—las movilidades de los portadores (electrones libres o huecos); —la duración o tiempo de vida de los portadores minoritarios;
—la conductividad de la muestra;
—la anchura de la banda prohibida o energía necesaria para pasar un electrón de la banda de valencia a la de conducción, dejando en la primera una carga positiva o hueco;
—la energía necesaria para separar un electrón del átomo dador o un hueco del aceptor;
—la masa efectiva.