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28 nov 2013
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Es ingeniero de Telecomunicación por la UPM y actualmente trabaja en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT). Está reconocido como uno de los referentes mundiales en el estudio de materiales semiconductores, como el grafeno o el nitruro de galio.
Tomás Palacios Gutiérrez, distinguido por la Real Academia de Ingeniería con el Premio Jóvenes Investigadores en la modalidad "Agustín de Betancourt", es uno de los referentes mundiales en el estudio de materiales semiconductores avanzados, especialmente grafeno y nitruro de galio, aplicados al campo de la electrónica. La RAI le ha concedido este prestigioso galardón, dotado con 10.000 euros, por sus contribuciones en áreas punteras de la electrónica con materiales avanzados. Lo recibirá mañana en un solemne acto en el que también se entregará el Premio Academiae Dilecta 2013, a la empresa Ferrovial. Especialmente destacan sus hallazgos en el campo de la nanotecnología y sus aplicaciones en el campo de la electrónica de altas frecuencia basada en materiales semiconductores de gap ancho (en particular, de la familia de los nitruros del grupo III). A pesar de su juventud (tiene 35 años), también ha desarrollado una intensa actividad investigadora en los recientemente descubiertos cristales bidimensionales, incluido el grafeno y el disulfuro de molibdeno. Palacios es ingeniero de Telecomunicación por la ETSI de Telecomunicación de la Universidad Politécnica de Madrid (ETSIT-UPM). Actualmente compagina su labor investigadora y docente como Profesor Asociado en el prestigioso Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT-Department of Electrical Engineering and Computer Science), en cuyo claustro de profesores entró a formar parte con sólo 28 años. Su incansable dedicación y el reconocimiento en el prestigioso MIT le han permitido crear y ser el primer director del MIT Center for Graphene Devices and 2D Systems, que integra a una veintena de grupos de investigación dirigidos por afamados científicos/ingenieros. Con más de 10 patentes y una veintena de premios
El jurado de la Real Academia de Ingeniería ha valorado que su trabajo haya producido más de 10 patentes y que a sus cualidades sume ser un emprendedor: fundó y preside una empresa de base tecnológica (Cambridge Electronics, Inc.) que trabaja en la comercialización de electrónica basada en nitruro de galio. Palacios ha recibido importantes reconocimientos en Estados Unidos. Más de una veintena de premios avalan su trayectoria, destacando el Presidential Early Career Award for Scientists and Engineers (PECASE) concedido por el Presidente de Estados Unidos Barack Obama en la Casa Blanca, en 2011; y los Young Investigator Awards de la National Science Foundation y la Office of Naval Research, en 2009, y DARPA, en 2008, entre otros. Palacios finalizó sus estudios de ingeniería de Telecomunicación en 2001. Prosiguió su formación en la Universidad de California obteniendo su Ph.D. (doctorado) en 2006. Ese mismo año ingresa en el MIT como profesor asistente. Desde una temprana e inusual edad Palacios ha trabajado activamente en el mundo de la investigación. En su segundo año de carrera, de la mano de los profesores Fernando Calle y Elías Muñoz, inicia su actividad investigadora en el Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología de la UPM. El profesor Calle ya intuía el enorme potencial de este joven talento en sus años de estudiante universitario, hasta el punto de que cuando presentó su Proyecto Fin de Carrera lo definió con estas palabras: "Por su singularidad e importancia, el PFC de Tomás Palacios podría haber alcanzado el rango de Tesis Doctoral".
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Tomás Palacios Gutiérrez, Premio RAI "Agustín de Betancourt" 2013
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